N-канальный МОП-транзистор (Power MOSFET), разработанный компанией International Rectifier (часть Infineon Technologies, а бренд принадлежит Vishay Siliconix), предназначен для использования в цепях управления мощностью, где требуются быстрое переключение, низкое сопротивление во включенном состоянии и надежная конструкция, серия, HEXFET® ; FET Type, MOSFET N-Channel, Metal Oxide ; FET Feature, Current Sensing ; Rds On (Max) @ Id, Vgs, 280 mOhm
Мы получаем и обрабатываем персональные данные посетителей нашего сайта в соответствии с официальной политикой. Если вы не даете согласия на обработку своих персональных данных, вам необходимо покинуть наш сайт. При использовании материалов с сайта обязательно указание прямой ссылки на источник.
RUB
USD
EUR