SI9410BDY-T1-E3

Юго-Восточная Азия: Доступно 2040 шт.

Цена по запросу

SI9410BDY-T1-E3 TrenchFET Gen V power MOSFET with 100V drain-source voltage and 536W maximum power dissipation. Learn More.

Категории: Дискретные полупроводники Транзисторы

Описание

TrenchFET Gen V power MOSFET with 100V drain-source voltage and 536W maximum power dissipation. Learn More.

Отзывы (0)

Контакты

198035, г. Санкт-Петербург, тер. г. муниципальный округ Морские ворота, ул. Двинская, дом 10, корп. 3 литер А офис 1006/1

Разделы

Соцсети

Мы получаем и обрабатываем персональные данные посетителей нашего сайта в соответствии с официальной политикой. Если вы не даете согласия на обработку своих персональных данных, вам необходимо покинуть наш сайт. При использовании материалов с сайта обязательно указание прямой ссылки на источник.

Обращаем ваше внимание, что данный интернет-сайт носит исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса Российской Федерации.