SI1308EDL-T1-GE3

7,99 руб.

SI1308EDL-T1-GE3 малосигнальный N-канальный полевой МОП-транзистор (MOSFET) производства Vishay Siliconix, выполненный по технологии TrenchFET, предназначен для управления питанием в портативной электронике, такой как смартфоны и планшеты, где требуются компактные размеры и низкое сопротивление в открытом состоянии

под заказ от 1шт. Цена по запросу
под заказ от 10шт. Цена по запросу
под заказ от 100шт. Цена по запросу
под заказ от 1000шт. 7,99 ₽

Категория: Транзисторы

Описание

малосигнальный N-канальный полевой МОП-транзистор (MOSFET) производства Vishay Siliconix, выполненный по технологии TrenchFET, предназначен для управления питанием в портативной электронике, такой как смартфоны и планшеты, где требуются компактные размеры и низкое сопротивление в открытом состоянии

Технические характеристики

Тип канала: N-канальный.

Напряжение сток-исток (Vds): 30 В.

Ток стока (Id): до 1.4 А (непрерывный) и до 6 А (импульсный).

Сопротивление (Rds on): 132 мОм при напряжении затвора 10 В и токе 1.4 А.

Напряжение включения (Vgs th): максимум 1.5 В.

Рассеиваемая мощность (Pd): от 0.3 Вт до 0.5 Вт в зависимости от условий монтажа.

Корпус: SC-70-3 (SOT-323) — сверхминиатюрный корпус для поверхностного монтажа.

Рабочая температура: от -55 °C до +150 °C

Отзывы (0)