RA13H3340M1-501 поколение высокочастотного (ВЧ) усилительного MOSFET-модуля производства компании Mitsubishi Electric
RA13H3340M1 — обновленная модификация, пришедшая на смену старой версии. Является текущим стандартом.
Версия с индексом «M1» выпускается в строгом соответствии с современными требованиями директивы RoHS (Lead-Free), ограничивающей использование свинца и других вредных веществ в электронике.
В версии M1 производитель немного оптимизировал внутреннюю структуру кристалла транзисторов для повышения стабильности работы и защиты от перегрузок по входу, однако все критические рабочие характеристики остались идентичными
Мы получаем и обрабатываем персональные данные посетителей нашего сайта в соответствии с Политика конфиденциальности. Если вы не даете согласия на обработку своих персональных данных, вам необходимо покинуть наш сайт. При использовании материалов с сайта обязательно указание прямой ссылки на источник.
RUB
USD
EUR